本周五A股反彈行情里，半導(dǎo)體設(shè)備板塊表現(xiàn)亮眼，拓荊科技、中科飛測等個股盤中漲幅超10%，板塊指數(shù)大漲3.26%，距離前期高點僅一步之遙，資金搶籌的跡象十分顯著。
（來源：同花順）
這波上漲并非偶然，
AI算力爆發(fā)、存儲周期上行、國產(chǎn)替代提速這三大有利因素疊加，讓作為芯片
產(chǎn)業(yè)“賣鏟人”的半導(dǎo)體設(shè)備
行業(yè)，正站在業(yè)績兌現(xiàn)的風口。
回顧此前板塊的波動，其實是短期情緒與長期邏輯的暫時偏離：晶圓廠階段性備貨調(diào)整、海外制裁擔憂等干擾因素已逐漸消退，而全球半導(dǎo)體復(fù)蘇、國內(nèi)擴產(chǎn)提速的核心邏輯愈發(fā)清晰，資金自然重新回流到這一高確定性賽道。
海內(nèi)外市場共振，半導(dǎo)體設(shè)備需求升溫
首先，全球半導(dǎo)體行業(yè)正快速復(fù)蘇。據(jù)世界半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（WSTS）數(shù)據(jù)，2025年上半年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達3460億美元，同比增長18.9%，全年預(yù)計增長15.4%，規(guī)模將達7280億美元。
作為產(chǎn)業(yè)先行指標的半導(dǎo)體設(shè)備，迎來爆發(fā)式增長——國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會（SEMI）預(yù)測，2025年全球設(shè)備出貨金額近1000億美元，2026年將升至1381億美元，連續(xù)三年增長，核心動力來自AI與HBM帶來的高性能需求。
海外市場率先開啟擴產(chǎn)競賽，存儲大廠資本開支猛增。三星、SK海力士、美光三大存儲原廠2025年資本開支同比增幅超80%：三星將DDR4產(chǎn)線升級為DDR5，加碼HBM產(chǎn)線；SK海力士全年資本開支上調(diào)至203億美元，重點布局HBM3E與3D DRAM；美光新加坡工廠聚焦無電容結(jié)構(gòu)優(yōu)化，穩(wěn)步提升產(chǎn)能。
技術(shù)升級讓設(shè)備需求“量價齊升”。3D NAND堆疊層數(shù)向500層甚至1000層突破，對高深寬比刻蝕、先進薄膜沉積的要求大幅提升，泛林半導(dǎo)體測算，NAND堆疊層數(shù)從100層提升至500層，相關(guān)設(shè)備市場規(guī)模將增長1.8倍。
國內(nèi)市場雙線發(fā)力，擴產(chǎn)與國產(chǎn)替代加速。長鑫存儲完成IPO輔導(dǎo)，估值達1400億元，上市后將加碼擴產(chǎn)；長江存儲三期項目注冊成立，注冊資本207.2億元，產(chǎn)能擴充加速。
政策和資本加碼支持。國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期注冊資本3440億元，重點支持設(shè)備和材料；深圳等地方政府出臺專項政策，為國產(chǎn)設(shè)備提供場景驗證和資金支持。截至2025年上半年，中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模達216.2億美元，占全球33.2%，是全球最大單一市場。
存儲周期啟動，設(shè)備需求爆發(fā)
AI大模型是存儲需求的超級發(fā)動機。多模態(tài)模型、思維鏈機制推動Tokens消耗量暴增，直接拉滿AI服務(wù)器對存儲容量與帶寬的要求。
美光數(shù)據(jù)顯示，AI服務(wù)器的DRAM容量是普通服務(wù)器的8倍，NAND容量是3倍，單臺AI服務(wù)器存儲需求高達2TB。
作為解決“內(nèi)存墻”的核心方案，HBM已成為高端AI芯片標配，2024-2030年全球HBM收入年復(fù)合增長率達33%，未來在DRAM市場的份額有望突破50%。
存儲行業(yè)進入“量價齊升”的超級周期。需求端，AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、消費電子復(fù)蘇形成三重拉動；供給端，海外原廠將產(chǎn)能向高毛利的HBM和Server DRAM傾斜，主動控制常規(guī)存儲產(chǎn)能，導(dǎo)致供需缺口持續(xù)擴大。
國內(nèi)存儲的剛性缺口凸顯擴產(chǎn)緊迫性。我國存儲芯片長期存在15-20%的貿(mào)易逆差，外資在華產(chǎn)能受全球分配與地緣政治影響，實際缺口遠超統(tǒng)計數(shù)據(jù)。
這種供需矛盾下，長鑫存儲、長江存儲的擴產(chǎn)不僅是填補國內(nèi)空白，更要參與全球市場競爭。
一條12英寸存儲產(chǎn)線的設(shè)備投資超50億美元，前道設(shè)備占比80%以上。隨著擴產(chǎn)推進，設(shè)備采購規(guī)模有望超百億，國產(chǎn)設(shè)備憑借性價比與快速響應(yīng)優(yōu)勢，有望在采購中占據(jù)重要份額。
更關(guān)鍵的是，當前核心設(shè)備國產(chǎn)化率仍處低位，替代空間巨大——光刻機國產(chǎn)化率不足1%，量測設(shè)備不足5%，刻蝕、薄膜沉積設(shè)備僅10-30%，這些都是未來的核心突破方向。
淘金攻略：三條主線鎖定產(chǎn)業(yè)紅利
長期來看，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)由“技術(shù)迭代+國產(chǎn)替代”雙輪驅(qū)動，AI和存儲技術(shù)不斷變革，持續(xù)催生新的設(shè)備需求；國產(chǎn)設(shè)備從成熟制程向先進制程、從單點突破向平臺化發(fā)展，逐步實現(xiàn)全面替代，成長空間巨大。
從設(shè)備價值量分布看，晶圓制造設(shè)備占比90%，其中刻蝕、光刻、薄膜沉積設(shè)備是核心，合計占比超60%，這些領(lǐng)域是投資重點方向。
1. 核心設(shè)備主線：技術(shù)迭代下的量價齊升
核心設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)線的基石，成長確定性最強?？涛g設(shè)備領(lǐng)域，中微公司累計裝機超4500腔，3D NAND領(lǐng)域市占率持續(xù)提升；北方華創(chuàng)ICP/CCP刻蝕全系列布局，進入頭部晶圓廠量產(chǎn)。薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域，拓荊科技PECVD/ALD設(shè)備國內(nèi)市占第一，HBM混合鍵合設(shè)備實現(xiàn)突破；微導(dǎo)納米High-k ALD設(shè)備產(chǎn)業(yè)化，直接受益存儲擴產(chǎn)；盛美上海電鍍設(shè)備全球市占率8.2%，位列第三。
2. 平臺化龍頭：一站式采購的紅利贏家
平臺化龍頭產(chǎn)品線覆蓋廣，能滿足晶圓廠“一站式采購”需求，客戶粘性更強，成長彈性更大。北方華創(chuàng)作為國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備平臺型龍頭，涵蓋刻蝕、薄膜沉積、清洗等前道核心工藝，控股芯源微完善涂膠顯影短板，2025年前三季度營收同比增長33%。
3. 細分賽道：國產(chǎn)化率低的“小而美”機會
部分細分賽道雖規(guī)模不大，但國產(chǎn)化率低、增長快，具備“小而美”的成長特征。例如量測設(shè)備領(lǐng)域，中科飛測缺陷檢測設(shè)備累計交付超700臺，HBM量測設(shè)備優(yōu)勢顯著；精測電子14nm先進制程明場缺陷檢測設(shè)備已交付。芯源微臨時鍵合機獲多家客戶訂單，步入放量階段。
結(jié)語
從年初的周期擾動到年底的板塊爆發(fā)，A股半導(dǎo)體設(shè)備板塊的市場表現(xiàn)，本質(zhì)是行業(yè)從“短期承壓”向“成長確定性兌現(xiàn)”的價值回歸。
隨著2026年全球設(shè)備市場突破1300億美元大關(guān)，AI+存儲雙驅(qū)動下的技術(shù)迭代與國產(chǎn)替代進入深水區(qū)，行業(yè)將邁入“量價齊升+份額提升”的黃金增長期，結(jié)構(gòu)性機會值得長期布局。對于投資者而言，當前正是把握行業(yè)長期發(fā)展的關(guān)鍵窗口。
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